高通骁龙处理器排名 骁龙730排第三
高通公司是世界领先的移动芯片制造商。它的Snapdragon处理器以其高能量、低消耗和先进的技术被许多手机使用。800系列面向高端市场，700和600系列面向中端市场，Snapdragon 400系列面向低端市场。那么什么是高通Snapdragon处理器呢？
高通Snapdragon处理器排名
1.小龙855
2.小龙845
3.小龙730
4.小龙712
5.小龙710
1.小龙855
上市时间：2018年12月
制造工艺：7纳米
核心频率：2.84千兆赫
中央处理器架构：八核氪485
作为高通Snapdragon处理器2019年的第一处理器，Snapdragon 855采用7纳米制造工艺，其核心频率达到2.84千兆赫，超过了上一代Snapdragon 845。它也是目前主流手机搭载的处理器，代表了小米9、一加7等。
2.小龙845
上市时间：2018年第一季度
制造工艺：10纳米FinFET
核心频率：2.8千兆赫
中央处理器架构：八核氪385
Snapdragon 845采用了三星的10纳米工艺，延续了8核设计，并在内核上做了很好的升级。与上一代相比，其综合性能提高了20%左右，代表了三星S9、vivo iQOO Neo、小米8等。
3.小龙730
上市时间：2019年第二季度
制造工艺：8纳米
核心频率：2.21.8千兆赫
中央处理器架构：2个Kryo470和6个Kryo470
Snapdragon 730是2019年宣布的700系列处理器。它以8纳米的制造工艺超越了Snapdragon 845。Snapdragon 730在多核性能上低于Snapdragon 845，但在单核性能上需要超越。此外，在Snapdragon 730上有一个专门为游戏设计的Snapdragon 730g处理器，代表Redmi K20型号。
4.小龙712
上市时间：2019年第一季度
制造工艺：10纳米
核心频率：2.3 1.7千兆赫
中央处理器架构：2个A75内核和6个A55内核，1.7千兆赫
小龙712的上市时间早于小龙730，其生产流程为10纳米。枭龙712消耗的能量比枭龙845少，但枭龙712在奔跑能力上必须被枭龙84击败，代表了小米9 SE和枭龙712。
5.小龙710
上市时间：2018年第二季度
制造工艺：10纳米
核心频率：2.2 1.7千兆赫
中央处理器架构：双核Kryo 360黄金和六核Kryo 360白银
枭龙710是枭龙在中端市场的代表，其单核运行稳定性和速度都很好。虽然综合性能与小龙845相比仍有一定差距，但代表车型有小龙710、小米CC9和OPPO K3。
2019年高通Snapdragon处理器排名(按系列)
处理器型号
制造工艺
体系结构
核心频率
地面动力装置
上市时间
高通8cx处理器
7nm
八核Kryo 495
未知的
肾上腺素680
2018年12月17日
高通855处理器
7nm
Kryo 485八核
2.84千兆赫
肾上腺素640
2018年12月
高通850处理器
10纳米
Kryo 385八核
2.96千兆赫
肾上腺素630
2018年下半年
高通845处理器
10纳米FinFET
Kryo 385八核
2.8千兆赫
肾上腺素630
Q1 2018
高通835处理器
10纳米FinFET
四核Kryo 280四核Kryo 280
2.45 1.9千兆赫
肾上腺素540
Q1 2017
高通835计算机处理器
10纳米
Kryo 280八核
2.0-2.45千兆赫
肾上腺素530
2017年上半年
高通821处理器
14nm FinFET
双核氪星
2.34 2.19千兆赫
肾上腺素530 653兆赫
2016年第三季度
高通820处理器
14nm
四核Kryo
2.2千兆赫
肾上腺素530
2016年上半年
高通810处理器
20纳米HPM
四核A57四核A53
2.0 1.55千兆赫
肾上腺素430 650兆赫
2014年第三季度
高通808处理器
20纳米HPM
双核A57四核A53
2.0 1.44千兆赫
肾上腺素418 600兆赫
2014年第三季度
高通805处理器
28nm
四核Krait 450
2.7
肾上腺素420
2013年11月21日
高通801处理器
28海里HPM
四核Krait 400
2.45千兆赫
肾上腺素330 578兆赫
Q1/Q2 2014
高通800处理器
28海里HPM
四核Krait 400
2.26千兆赫
肾上腺素330 450兆赫
Q2 2013
高通730G处理器
8nm
2 Kryo470 6 Kryo470
2.2 1.8千兆赫
肾上腺素618
Q2，2019年
高通730处理器
8nm
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2 Kryo470 6 Kryo470
2.2 1.8千兆赫
肾上腺素618
Q2，2019年
高通712处理器
10纳米
两个A75大内核和六个1.7千兆赫的A55小内核
2.3 1.7千兆赫
肾上腺素616
Q1 2019
高通710处理器
10纳米
双核Kryo 360金六核Kryo 360银
2.2 1.7千兆赫
肾上腺素616
Q2，2018年
高通675处理器
11毫米
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2 Kryo460 6 Kryo460
2.0 1.7千兆赫
肾上腺素612
Q1 2019
高通670处理器
10纳米
四核Kryo 360四核Kryo 360
2.2 1.7千兆赫
肾上腺素616
2018年第三季度
高通665处理器
11毫米
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4 Kryo260 4 Kryo260
2.0 1.8千兆赫
肾上腺素610
Q1 2019
高通660处理器
14nm
Kryo 260八核
1.95 ~ 2.2千兆赫
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肾上腺素512
2017年5月
高通636处理器
14nm
Kryo 260八核
1.8 1.6千兆赫
肾上腺素509
Q1 2018
高通630处理器
14nm
八核A53
2.2
肾上腺素508
2017年5月9日
高通632处理器
14海里LPP
四核Kryo 250金四核Kryo 250银
1.8 1.8千兆赫
肾上腺素506
Q2，2018年
高通653处理器
28海里HPM
四核A72+四核A53
1.95 1.44千兆赫
肾上腺素510
2016年第4季度
高通652处理器
28海里HPM
四核A72+四核A53
1.8 1.4千兆赫
肾上腺素510
2015年第4季度
高通650处理器
28nm
双核A72+四核A53
1.8千兆赫
肾上腺素510
2015年底
高通626处理器
14nm LPP1
八核A53
2.2千兆赫
肾上腺素506
2016年第4季度
高通625处理器
14nm
八核A53
2.0千兆赫
肾上腺素506
2016年2月11日
高通617处理器
28纳米低压
八核A53
1.5千兆赫
肾上腺素405
2015年第4季度
高通616处理器
28纳米低压
四核A53
1.7 1.2千兆赫
肾上腺素405
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2015年第三季度
高通610处理器
28纳米低压
四核A53
1.7千兆赫
肾上腺素405
2014年第三季度
高通602A处理器
28nm
四核Krait 300
1.5千兆赫
肾上腺素320图形处理器
2014
高通600处理器
28纳米低压
四核Krait 300
1.7千兆赫
肾上腺素320 400兆赫
Q1 2013
高通450处理器
14nm
八核A53
1.8千兆赫
肾上腺素506
2017年第三季度
高通439处理器
12nm FinFET
四核A53四核A53
1.95 1.45千兆赫
肾上腺素505
Q2，2018年
高通429处理器
12nm FinFET
四核A53
1.95根据
肾上腺素504
Q2，2018年
高通410处理器
28纳米低压
四核A53
1.2千兆赫
肾上腺素306
2014年上半年
高通435处理器
28纳米低压
八核A53
1.4千兆赫
肾上腺素505
2016年第4季度
高通400处理器
28纳米低压
双核Krait 200/300
1.2/1.4/1.7千兆赫
肾上腺素305
高通430处理器
28纳米低压
八核A53
1.2千兆赫
肾上腺素505
Q2 2016
高通425处理器
28纳米低压
四核A53
1.4千兆赫
肾上腺素308
高通415处理器
28纳米低压
八核A53
1.4千兆赫
肾上腺素405
2015年第4季度
高通412处理器
28纳米低压
四核A53
1.4千兆赫
肾上腺素306
2015年下半年
高通210处理器
28纳米低压
四核A7
1.1千兆赫
肾上腺素304
2014年
高通200处理器
28纳米低压
四核A7
1.2千兆赫
肾上腺素302 400兆赫
2013年